雖然功率轉換設備的設計和生產過程中所需的電氣測試類型與前幾代設備所需的測試類型相似，但采用碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）等寬帶隙材料需要更嚴格的測試策略。

　　臺架測試在功率轉換設備開發的每個階段都繼續發揮著重要作用，以表征、驗證、基準測試和記錄效率和其他特性。它首先測試材料以確定其是否適合使用，然后在SiC或GaN晶片制造完成后進行額外的測試。在晶片上制造器件或電路之后進行測試，然后進行封裝部件測試。對組裝好的電路進行進一步的測試，后在電源轉換設備下線時對其進行測試。

　　這四個測試階段中的每一個階段對整個項目都有各自的重要性，并且每個階段都必須在工作流/價值流的特定點上進行。例如，在將MOSFET安裝在電路板上之前，必須對其作為獨立組件進行擊穿電壓測試。同樣，開關能量必須在MOSFET安裝在電路板上之后進行測量，因為該能量取決于與整個電路相關的因素，開關頻率取決于柵極驅動器。

　　泰克提供一套全面的測試設備，使設計和測試工程師能夠建立足夠堅固的測試臺，以滿足他們嚴格的要求。隨著電力轉換設備變得更加復雜，監管環境變得更加嚴格，測試協議變得更加具有挑戰性，這種設備也為新出現的需求奠定了基礎。

　　以下是四個測試階段：

　　1、材料水平測試

　　在組件前階段，必須對寬帶隙材料本身進行測試，然后在晶圓階段進行測試，以確定其性能的規格。寬帶隙半導體材料的研究和測試通常涉及確定樣品的電阻率和霍爾遷移率。測量這些參數的主要技術有：

　　范德波法

　　霍爾效應測量

　　所有這些測量都可以使用參數分析器進行。Keithley 4200A-SCS參數分析儀包括一些模塊，使研究人員能夠自動執行范德波電阻率和霍爾效應測量，從而節省寶貴的研究時間，并無需購買單獨的系統來執行這些測試。

　　Keithley 4200A–帶探針的SCS參數分析儀

　　2、組件級測試

　　下一階段的測試針對在晶片上制造的組件/器件或作為獨立組件進行。執行器件I-V表征以將模擬數據與實際測量數據進行比較。制造后組件測試在設備設計者創建數據表和質量控制方面發揮著不可或缺的作用。它還被終客戶廣泛用于根據其規范驗證組件。

　　I-V特性測量可以使用4200A-SCS或Keithley的一系列大功率源測量單元（SMU）進行。此外，4200A-SCS支持CV測量。當4200A-CVIV多交換機添加到4200A-SCS時，您將獲得以下優勢：

　　無需重新連接任何電纜：減少用戶錯誤并允許自動測試。

　　允許直接測量電路級電容。

　　在每個端子上使用偏置三通消除了對外部電容器或短路的需要。

　　完全CV補償輸出到被測器件（DUT）。

　　帶CVIV的Keithley 4200A

　　3、電路電平測試

　　如上所述，MOSFET的開關特性必須在安裝到電路中后進行測試和表征，通常通過使用任意函數發生器（AFG）的雙脈沖測試來創建如圖所示的脈沖測試波形。該測試測量包括開啟和關閉特性以及熱行為在內的參數。組件制造商通常會創建用于內部開發的演示板，在其上安裝MOSFET，用于電路級測試，包括雙脈沖測試。

　　AFG上的雙脈沖軟件

　　要了解更多關于雙脈沖測試的信息，我們鼓勵您觀看AFG31000的雙脈沖測試視頻。本視頻展示了如何使用Tektronix AFG31000任意函數發生器上的內置軟件設置和運行雙脈沖測試。現在，您不需要花費時間在PC或微控制器上創建波形。相反，您可以在不到一分鐘的時間內在AFG31000上設置雙脈沖測試。

　　4、系統級測試

　　如下圖所示，使用各種儀器，包括示波器、電源、隔離探針和功率分析軟件，對完全組裝好的功率模塊進行測試，特別是測試其運行效率。這些儀器及其提供的測量在滿足監管指南以及獲得能源之星合規性等認證方面發揮著關鍵作用。

　　帶IsoVu的5系列B MSO

　　開關損耗測量

　　測試工具的創新，如源測量單元儀器、電容電壓單元、任意函數發生器、示波器、探針和軟件工具，使設計工程師能夠在生命周期的各個階段開發出能夠經濟高效地滿足嚴格設計要求的功率轉換設備。